Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

скачать (597 kb.)

---

Смотрите также:
• Элементная база радиоэлектронной аппаратуры
• Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)
• Электроснабжение цеха радиоэлектронной аппаратуры
• Элементная база радиотехники
• Алгоритмы и методы компоновки, размещения и трассировки радиоэлектронной аппаратуры
• Технические средства радиоэлектронной борьбы на море
• Расчет радиотелевизионной аппаратуры
• Электроснабжение завода высоковольтной аппаратуры
• Разработка участка по ремонту топливной аппаратуры
• Расчет элементов и узлов аппаратуры связи
• Расчёт объёма аппаратуры телефонного узла г. Любань
• Проектирование микроэлектронной аппаратуры на цифровых интегральных микросхемах

УПИ – УГТУ
Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.
Вариант № 17

Шифр:
Ф.И.О
Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

Работу не высылать.

УПИ – УГТУ
Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.
Вариант № 17

Шифр:
Ф.И.О
Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

Работу не высылать.

Аннотация.


Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.
Исходные данные:

Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б

Величина напряжения питания Е_п ……………………………………………... 5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки R_к …………………………………… 1,6 кОм

Сопротивление нагрузки R_н ……………………………………………………. 1,8 кОм


Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.






Биполярный транзистор ГТ310Б.


Краткая словесная характеристика:


Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.


Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц, U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА не более ……………. 3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

при U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H_21э

при U_кб= 5 В, I_Э= 5 мА, ѓ = 20 МГц не менее …………………………... 8

Постоянная времени цепи обратной связи

при U_кб= 5 В, I_Э= 5 мА, ѓ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой

при U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

при U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм

Ёмкость коллектора при U_кб= 5 В, ѓ = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при R_бэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В

при R_бэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В

Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт

Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до

328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:
P_К.макс= ( 348 – Т )/ 2
Входные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :

Iб, мкА
200
160
120
80
40
0	0,05	0,1	0,15	0,2	0,25	0,3	0,35	Uбэ,В

Выходные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :

Iк , мА
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0	1	2	3	4	5	6	Uкэ,В

Нагрузочная прямая по постоянному току.



Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:
Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

при I_к= 0, U_кэ= Е_п = 9 В, и при U_кэ= 0, I_к= Е_п / R_к = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк , мА
6
5
4					А
3 Iк0
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

---

---